第一节 重要提示
　　1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到www.sse.com.cn网站仔细阅读年度报告全文。
　　2、重大风险提示
　　公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。
　　3、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
　　4、公司全体董事出席董事会会议。
　　5、天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
　　6、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
　　□是√否
　　7、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
　　截至2025年12月31日，公司母公司报表中期末未分配利润为人民币260,573,073.69元。公司2025年度利润分配方案以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润，本次利润分配方案如下：
　　公司拟向全体股东每10股派发现金红利8.00元(含税)。截至2026年3月31日，公司总股本67,701,688股，以此计算合计拟派发现金红利54,161,350.40元(含税)。本年度公司现金分红总额54,161,350.40元，占本年度归属于上市公司股东净利润的比例47.58%。
　　上述事项已经公司第一届董事会第十五次会议审议，尚需提交股东会审议。
　　母公司存在未弥补亏损
　　□适用 √不适用
　　8、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
　　□适用 √不适用
　　第二节 公司基本情况
　　1、公司简介
　　1.1公司股票简况
　　√适用 □不适用
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　　1.2公司存托凭证简况
　　□适用 √不适用
　　1.3联系人和联系方式
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　　2、报告期公司主要业务简介
　　2.1主要业务、主要产品或服务情况
　　1.主营业务情况
　　公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
　　2.主要产品及服务情况
　　公司主要围绕等离子体工艺打造产品矩阵，自研产品具体包括等离子体射频电源系统（等离子体射频电源及匹配器）、等离子体激发装置（远程等离子体源、射频离子源）、等离子体直流电源、配件（滤波器、阻抗调整器等）；引进产品主要包括真空获得和流体控制分别所需的真空泵、质量流量计等核心零部件；同时还为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修等技术服务。
　　■
　　(1)自研产品
　　1)等离子体射频电源系统
　　历经十二年，公司通过自研先后迭代推出 CSL、Bestda、Aspen/Basalt、Cedar四代等离子体射频电源系统系列产品，其中 Bestda 系列、Aspen/Basalt系列及Cedar系列产品主要面向半导体领域，具体如下：
　　①Cedar系列
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　　②Aspen/Basalt 系列
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　　③Bestda 系列
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　　④CSL 系列
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　　⑤公司等离子体射频电源系统的主要应用领域
　　公司的等离子体射频电源系统被广泛应用于半导体工艺中的薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等环节，以及光伏电池片的薄膜沉积、显示面板镀膜、精密光学镀膜、常压等离子体清洗等工业生产环节，应用领域具体如下：
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　　2)其他自研产品及配件
　　除自研的等离子体射频电源系统外，公司其他自研产品包括：①电源类产品：等离子体直流电源等；②等离子体激发装置：远程等离子体源、射频离子源；③配件：等离子体射频电源功率计、滤波器、阻抗调整器等，具体如下：
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　　(2)引进产品
　　公司基于等离子体发生条件和反应腔真空环境的实际需求，引进用于获得和维持真空环境的真空泵、用于流体精确控制的质量流量计以及用于真空镀膜装备的等离子体直流电源等核心零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案，打造核心零部件供应平台，具体如下：
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　　(3)技术服务
　　公司技术服务主要系为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务。等离子体射频电源系统在晶圆厂使用过程中会出现老化、故障等问题，需要及时进行更换或维修。国内主要晶圆厂被美国商务部列入实体清单后，无法继续向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务，公司为此承接了进口等离子体射频电源系统的原位替换及维修业务，为国内晶圆厂的稳定运转和生产可持续性提供了坚实的保障。
　　2.2主要经营模式
　　1、盈利模式
　　公司主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售，通过向半导体、光伏、显示面板、精密光学、其他工业等领域的客户销售以等离子体射频电源系统为代表的自研产品，以及引进真空泵、质量流量计等真空获得和流体控制相关的核心零部件，同时公司为晶圆厂和设备商提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务，以此实现收入和利润。
　　2、采购模式
　　公司等离子体射频电源系统等自研产品所使用的主要原材料包括电容、电阻、芯片等电子元器件、功率模块等电气件以及钣金件等结构件。公司在研发过程中结合技术参数、客户要求、物料来源等因素综合考量原材料的选型，通过有针对性的研发设计调整，不断提高产品的性能和品质。同时，公司在采购中积极推进国产化率的提升，注重使用本土元器件，以促进国产替代。
　　公司引进产品主要采购真空泵、质量流量计等真空获得和流体控制相关的核心零部件，公司根据客户需求向相关品牌的境内外供应商采购，其中境外供应商直接发货至公司指定港口，由公司办理清关等事宜；境内供应商发货至公司指定地点。
　　公司物料需求部门基于安全库存或销售预测的计划需求，提出采购申请。采购部门根据审批后的采购申请，结合原材料的耗用情况、价格波动、使用频率等多方面因素与合格供应商签订单次采购合同或年度框架协议，执行采购计划。
　　公司已建立稳定、高质量的供应商体系，关注供应商经营资质、生产能力、技术水平、质量管控水平以及产品价格等多方面因素，并结合响应速度、付款条件等对供应商进行综合评定，将符合要求的供应商列入合格供应商名录，并在供货阶段实行供应商动态管理，筛选优质供应商，持续优化采购渠道，提高原材料供应的效率和稳定性。
　　3、生产模式
　　公司等离子体射频电源系统等自研产品主要采取以销定产的生产模式，根据供货要求、产品生产周期、销售预测等因素对生产排期和物料管理进行统筹安排，协调生产、采购和仓储等相关部门保障生产的有序进行。公司的生产流程主要是部件加工及装配、软件烧录、检测和工艺调试等，由制造中心对原材料进行装配、线路连接、产品测试，确保产品性能稳定之后封装入库。为提升生产效率，公司将少量工序委外加工，包括PCBA和线缆定制工序。
　　4、销售模式
　　公司产品销售采取直销模式，下游客户主要为半导体、光伏、显示面板、精密光学等行业的设备商，公司向其直接销售与设备配套的等离子体射频电源系统等自研产品，以及真空泵、质量流量计等引进产品。对于等离子体射频电源系统等自研产品，公司需经过客户严格的调查评估、验厂考察等认证程序，才能进入客户的合格供应商体系或目录。在与客户合作对接过程中，公司销售、研发、工艺等部门与客户开展深入沟通，洽谈和确定客户需求信息，拟定合适方案；同时，品质部门、采购部门、生产部门也会参与客户产品的开发，根据新产品的特殊需求，优化产品布局和结构并达成最终方案。公司根据正式订单及客户预测相结合的方式进行生产排产，并按交货期向客户交付。对于真空泵、质量流量计等引进产品，公司根据客户具体需求和订单约定向客户直接销售引进产品。
　　5、研发模式
　　公司的研发由研发中心组织，具体包括研发项目的立项、项目实施及验证、交样结题及项目结案等。公司研发模式主要系结合客户主要制程与研发方向需求，同时以公司产品种类和系列为基础进行研发创新。在完成研发样品后，公司会及时向客户进行送样测试，并依据测试反馈结果以及客户提出的新需求，对产品的性能、参数和指标进行针对性调整。
　　2.3所处行业情况
　　(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司致力于为国产半导体设备提供优质核心零部件，主要产品为等离子体射频电源系统，主要应用于半导体设备领域。
　　（1）行业的发展阶段、基本特点
　　等离子体射频电源系统行业
　　等离子体射频电源系统是半导体制造中极其关键的专用电源系统，主要由等离子体射频电源和匹配器组成。其核心作用是通过产生高频电场，在晶圆反应腔体内将特定工艺气体电离，创造并维持高活性、高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等复杂半导体工艺（薄膜沉积、刻蚀与光刻并称为芯片制造三大关键工序）。等离子体射频电源系统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的成分浓度、均匀性和稳定性等，对于薄膜沉积的厚度、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率，等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。等离子体射频电源系统可广泛应用于半导体、光伏、显示面板、精密光学、等离子体清洗等领域，是推动工艺和技术进步的重要载体。产业链具体情况如下：
　　■
　　等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高，因而国产化率极低。中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场仍呈现由美系海外巨头厂商高度垄断的竞争格局，半导体设备厂商对于零部件自主可控的要求愈发紧迫，伴随国产替代的整体趋势，国产等离子体射频电源系统市场快速发展。
　　（2）主要技术门槛
　　半导体设备核心零部件是半导体设备技术更迭和制程演进的重要承载，在半导体工艺和芯片结构日趋复杂的背景下，半导体设备商对核心零部件厂商的要求更为严苛，包括对产品的可靠性、稳定性和一致性及核心零部件厂商的研发能力、技术实力。因此，半导体设备核心零部件行业的技术壁垒很高。等离子体射频电源系统作为薄膜沉积设备、刻蚀设备等半导体设备的核心零部件，技术要求极高，包括在纳米尺寸级别上精准控制等离子体的刻蚀过程、在纳秒时间级别上和复杂环境中精准且稳定的控制等离子体的变化。技术要求极高主要由于其直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。
　　等离子体射频电源系统的研发难度大，所需研发周期长、研发投入大。以AE为例，从2008年推出可用于FinFET工艺的第三代Paramount系列射频电源，到2023年推出可用于3D封装的第五代eVerest系列射频电源，产品迭代历时15年。MKS年报披露其2023-2025年累计研发费用高达8.58亿美元。
　　(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。公司自主研发的第二代产品Bestda系列等离子体射频电源系统可支撑28纳米制程，第三代产品Aspen系列等离子体射频电源系统可支撑7-14纳米先进制程，第四代产品Cedar系列等离子体射频电源系统将射频电源和匹配器整合为一体化平台，可支撑5纳米及以下更先进制程。公司在国内半导体领域系首家出货过亿元和首家实现等离子体射频电源系统（支持半导体先进制程）量产的国产厂商。公司打破多年来海外巨头在国内等离子体射频电源系统领域的垄断格局，能与海外巨头同台竞争，并不断扩大市场占有率。报告期内，公司获得深圳2025年瞪羚企业等荣誉。
　　根据弗若斯特沙利文历史统计数据，中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场呈现海外巨头高度垄断的竞争格局，其中2024年海外厂商MKS、AE、霍廷格和DAIHEN等合计市占率接近88%，国产厂商市占率不足12%。
　　(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　根据2025年10月中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议所提出的《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》，要全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。加强基础研究战略性、前瞻性、体系化布局，提高基础研究投入比重，加大长期稳定支持。强化科学研究、技术开发原始创新导向，优化有利于原创性、颠覆性创新的环境，产出更多标志性原创成果。
　　1）半导体工艺和芯片结构日趋复杂，对等离子体射频电源系统的技术要求显著提升
　　随着半导体制程的持续演进，薄膜沉积、刻蚀等半导体工艺的复杂度和精细度日益提高，对等离子体射频电源系统也在不断提出更高、更复杂的要求。经过几十年的演进，等离子体射频电源系统从早期的基于变压器和电子管的射频电源及固定匹配网络演变成开关模式电源和自动调谐匹配网络，实现可靠、稳定、高效的功率输送，并极大地减小了物理尺寸；其后，等离子体射频电源系统逐渐向数模混合控制、全数字控制发展，输出信号也从连续波信号拓展出了脉冲信号。
　　随着平面器件结构尺寸逐渐接近物理极限，半导体行业开始转向更为复杂的三维结构，等离子体射频电源系统已经成为支持芯片3D结构复杂化的核心技术。3D存储器的层数持续增加、FinFET持续缩小对于等离子体射频电源系统的技术要求显著提升。如对于层数较高的3D NAND，其刻蚀需要达到70:1的高深宽比，这要求等离子体中产生的活化离子能一直达到孔隙的底部，这需要等离子体射频电源系统通过产生多重射频和同步射频脉冲来控制离子能量和表面电荷，并且在微秒范围内精确测量、高速调谐射频功率。
　　2）AI应用落地，半导体迎增长新机遇
　　人工智能（AI）的大量应用需求将带动新一轮半导体增长，尤其是先进制程的逻辑及存储相关的晶圆制造厂的产能。一方面，需求激增带动算力产业链的资本开支持续增加，并带动HBM、3D NAND存储需求快速增长。另一方面，随着手机、PC、汽车、物联网等传统终端的AI应用落地，换机和升级需求增加，智能装置AI化将推动新一轮半导体增长，成为本轮半导体增长周期的驱动因素。
　　3）制程节点演进、芯片和工艺复杂度的提升带动等离子体射频电源系统用量及价值占比提升
　　半导体制造对等离子体射频电源系统工艺要求的提升，有效地丰富了等离子体射频电源系统的工艺体系，为设备厂商提供较宽的工艺窗口，并提高了等离子体射频电源系统在半导体制造设备中的价值占比。半导体设备全球市场规模成长至近千亿美元，同时随着制程节点不断演进、芯片和工艺复杂度的提升，薄膜沉积设备和刻蚀设备等半导体设备的需求将持续上升。等离子体射频电源系统作为薄膜沉积设备和刻蚀设备等半导体设备的核心零部件，其性能直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。薄膜沉积设备和刻蚀设备等单台设备中的等离子体射频电源系统的用量和价值占比随着半导体设备用量的增加也将呈整体提升态势。
　　4）设备国产化为我国半导体行业发展的长期趋势
　　受欧美等国对我国半导体产业限制政策的影响，我国半导体产业的供应链安全面临严峻挑战，凸显出我国在半导体关键领域实现自主可控的必要性。半导体产业链国产化的需求特别强烈，国产化进程将进一步加速，半导体核心设备及核心零部件国产化将成为我国半导体行业发展的长期趋势。
　　3、公司主要会计数据和财务指标
　　3.1近3年的主要会计数据和财务指标
　　单位：元 币种：人民币
　　■
　　报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
　　1.报告期内公司实现营业收入529,470,114.60元，较上年同期减少2.09%；实现归属于上市公司股东的净利润113,840,339.46元，较上年同期减少19.57%。主要系半导体行业具有周期波动的特性，下游半导体设备客户的采购量需依据自身承接的晶圆厂订单数量、产品验证导入进度及交付验收节奏动态调整，进而导致对公司的采购呈现波动。
　　2.报告期内公司经营活动产生的现金流量净额为84,787,796.09元，较上年同期减少14.79%，主要系本年度营业收入略降，公司销售商品、提供劳务收到的现金减少，同时支付给职工及为职工支付的现金增加所致。
　　3.报告期内研发投入占营业收入比例为15.14%，较上年度增加4.92个百分点。主要系公司研发费用中人工费同比增长61.43%，公司持续加大研发投入力度，提高技术指标要求，推进新产品开发、产品持续升级迭代等，不断加强产品竞争力，研发费用较上年同期大幅增加。
　　3.2报告期分季度的主要会计数据
　　单位：元 币种：人民币
　　■
　　季度数据与已披露定期报告数据差异说明
　　□适用 √不适用
　　4、股东情况
　　4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况
　　单位: 股
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　　■
　　存托凭证持有人情况
　　□适用 √不适用
　　截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
　　□适用 √不适用
　　4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图
　　√适用 □不适用
　　■
　　4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图
　　√适用 □不适用
　　■
　　4.4报告期末公司优先股股东总数及前10 名股东情况
　　□适用 √不适用
　　5、公司债券情况
　　□适用 √不适用
　　第三节 重要事项
　　1、公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
　　2025年，公司实现营业收入52,947.01万元，较上年同期下降2.09%，主要系半导体行业具有周期波动的特性，下游半导体设备客户的采购量需依据自身承接的晶圆厂订单数量、产品验证导入进度及交付验收节奏动态调整，进而导致对公司的采购呈现波动。实现归属于上市公司股东的净利润 11,384.03万元，较上年同期下降19.57%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10,453.21 万元，较上年同期下降18.95%，主要系公司持续加大研发投入力度，提高技术指标要求，推进新产品开发、产品持续升级迭代等，不断加强产品竞争力，研发费用较上年同期大幅增加。截至本报告披露日，公司在手订单为15,718.77万元。
　　2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。
　　□适用 √不适用
　　证券代码：688785 证券简称：恒运昌 公告编号：2026-007
　　深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
　　2025年年度利润分配方案的公告
　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
　　重要内容提示：
　　● 每股分配比例：每10股派发现金红利人民币8.00元(含税)。2025年度不送红股，不进行公积金转增股本。
　　● 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司（以下简称“公司”）本次利润分配以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，具体日期将在权益分派实施公告中明确。
　　● 在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。
　　● 公司不触及《上海证券交易所科创板股票上市规则》（以下简称《科创板股票上市规则》）第12.9.1条第一款第（八）项规定的可能被实施其他风险警示的情形。
　　一、利润分配方案内容
　　（一）利润分配方案的具体内容
　　经天健会计师事务所（特殊普通合伙）审计确认，公司2025年度实现归属于上市公司股东的净利润为113,840,339.46元，母公司实现的净利润为123,226,581.15元。截至2025年12月31日，公司母公司报表中期末未分配利润为260,573,073.69元。经董事会决议，公司2025年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下：
　　1、公司拟向全体股东每10股派发现金红利8.00元(含税)。截至2026年3月31日，公司总股本67,701,688.00股，以此计算合计拟派发现金红利54,161,350.40元(含税)。本年度公司现金分红总额54,161,350.40元，占本年度归属于上市公司股东净利润的比例47.58%。
　　2、2025年度不送红股，不进行资本公积转增股本。
　　如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
　　本次利润分配方案尚需经公司2025年年度股东会审议。
　　（二）是否可能触及其他风险警示情形
　　公司于 2026 年 1 月 28 日在上海证券交易所科创板上市，上市不满三个完整会计年度，公司不存在触及《上海证券交易所科创板股票上市规则》规定的可能被实施其他风险警示的情形。
　　二、公司履行的决策程序
　　公司于2026年4月25日召开第一届董事会第十五次会议审议通过了《关于公司2025年度利润分配方案的议案》，本次利润分配方案符合《公司章程》规定的利润分配政策和股东回报规划，董事会同意本次利润分配方案，并提交公司2025年年度股东会审议。
　　三、相关风险提示
　　（一）本次利润分配方案综合考虑了公司正常经营、长远发展以及未来的资金需求，不会对公司的经营现金流产生重大影响，不会影响公司正常经营。
　　（二）本次利润分配方案尚需提交公司2025年年度股东会审议通过后方可实施，敬请广大投资者注意投资风险。
　　特此公告。
　　深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
　　董事会
　　2026年4月28日
　　证券代码：688785 证券简称：恒运昌 公告编号：2026-015
　　深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
　　关于2025年度计提资产及信用减值准备的公告
　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
　　一、计提资产减值准备情况概述
　　深圳市恒运昌真空技术股份有限公司（以下简称“公司”）根据《企业会计准则》及公司相关会计政策的规定，为客观、公允地反映公司截至2025年12月31日的财务状况和经营情况，对公司及下属子公司的应收账款、其他应收款、存货、合同资产等资产进行了全面充分的清查、分析和评估。

　　公司代码：688785 公司简称：恒运昌